Secondo una recente analisi di TrendForce, la domanda del mercato automobilistico globale di wafer SiC da 6 pollici dovrebbe raggiungere 1,69 milioni di unità nel 2025 grazie al crescente tasso di penetrazione dei veicoli elettrici e al trend verso piattaforme con architettura ad alta tensione a 800 V.
L’arrivo dell’architettura di ricarica per veicoli elettrici a 800 V comporterà infatti una sostituzione totale dei moduli IGBT in silicio con dispositivi di alimentazione con tecnologia SiC, che diventeranno un componente standard in questo mercato.
Gli analisti però avvertono anche che la fornitura di materiali di substrato SiC diventerà il principale collo di bottiglia della produzione di questi dispositivi di potenza poiché i substrati SiC comportano processi di produzione complessi, elevate barriere tecniche all’ingresso e lenta crescita epitassiale.
Sebbene i principali IDM abbiano fatto notevoli progressi nello sviluppo di wafer SiC da 8 pollici, è necessario più tempo non solo per aumentare il tasso di rendimento, ma anche per la transizione dei semiconduttori di potenza dalle linee di produzione da 6 pollici alle linee di produzione da 8 pollici. Quindi, i substrati SiC da 6 pollici rimarranno probabilmente il segmento mainstream per almeno altri cinque anni.