Transistori di potenza in silicio: l’innovazione è ancora possibile?

Dalla rivista:
EO Power

 

L’esempio della tecnologia supergiunzione MDmesh di STMicroelectronics

Leggi l’articolo completo su EO Power 26

 

 

 

Filippo Di Giovanni, Strategic Marketing, Innovation and Key Programs Manager – Power Transistor Macro Division STMicroelectronics

Contenuti correlati

• 
  Collaborazione fra STMicroelectronics e Semikron per le tecnologie SiC

  STMicroelectronics ha comunicato di fornire tecnologie basate su carburo di silicio (SiC) per i moduli di potenza per veicoli elettrici (EV) eMPack di Semikron. Utilizzando i parametri dei MOSFET SiC di ST, forniti in forma di ‘bare...
• 
  Progettazione analogica: l’ingrediente chiave per “alimentare” il mondo digitale

  Questo articolo si concentrerà sull’importanza della progettazione e dei semiconduttori analogici. Tratterà alcune delle funzioni circuitali analogiche più utilizzate, tra cui la conversione da analogico a digitale e i moduli di rilevamento Leggi l’articolo completo su EO...
• 
  Relè di potenza per la sicurezza nelle applicazioni industriali: criteri di scelta

  La scelta dei relè per l’utilizzo nelle applicazioni industriali richiede un’attenta valutazione. I criteri di selezione standard impongono di considerare la tensione e le correnti richieste e il massimo spazio disponibile per il relè, prendendo nota di...
• 
  CEA, Soitec, GlobalFoundries e STMicroelectronics collaborano per la tecnologia FD-SOI

  Collaborazione fra CEA, Soitec, GlobalFoundries e STMicroelectronics per la definizione congiunta della roadmap di prossima generazione per la tecnologia FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator). I semiconduttori e l’innovazione relativa alla tecnologia FD-SOI rivestono infatti un elevato valore strategico...
• 
  La scelta dei MOSFET ideali nei dimmer per illuminazione

  I dimmer sono un prodotto di successo nel mercato nordamericano. Anche in Europa questo mercato è in rapida ascesa aiutato dalla conversione in atto dalle lampade tradizionali a sorgenti LED. In questo articolo andremo a scegliere sperimentalmente...
• 
  Circuiti integrati a segnali misti: tra analogico e digitale

  Telefonia mobile, IoT e automotive sono i principali propulsori della domanda di circuiti analogici, digitali e a segnali misti con caratteristiche di basso consumo e ingombro ridotto Leggi l’articolo completo su EO 499
• 
  Spazi abitativi sempre più intelligenti e protetti

  Ai nostri giorni, lavastoviglie, frigoriferi, lavatrici, condizionatori d’aria, macchine per caffè e una miriade di altri dispositivi domestici sono sempre più spesso preceduti dalla parola “smart” Leggi l’articolo completo su EO 499
• 
  ST e Politecnico di Milano ampliano l’infrastruttura di R&S presso il PoliFab

  STMicroelectronics e il Politecnico di Milano (PoliMi) hanno ampliato la capacità manifatturiera di semiconduttori di PoliFab, il centro di R&S dell’università dedicato alle micro e nanotecnologie. La clean room di PoliFab ha ricevuto infatti attrezzature all’avanguardia da...
• 
  Moduli: la via più breve per la connettività wireless

  Oggi molte applicazioni si affidano alle comunicazioni wireless, in particolare a Internet of Things (IoT) e ai sistemi IoT industriale. Lo sviluppo di RF, tuttavia, può essere complesso e richiede costose certificazioni. Questo articolo esamina come i...
• 
  Collaborazione fra STMicroelectronics e l’Institute of Microelectronics di A*STAR sul SiC

  L’Institute of Microelectronics (IME) di A*STAR (Agency for Science, Technology and Research) e STMicroelectronics, hanno avviato una collaborazione per la Ricerca e Sviluppo nel campo del carburo di silicio (SiC) per applicazioni di elettronica di potenza destinate...