Il produttore giapponese di semiconduttori Rapidus Corporation ha annunciato l’avvio della fase di prototipazione della struttura del suo transistor GAA (gate-all-around) a 2 nm presso il suo impianto produttivo Innovative Integration for Manufacturing (IIM-1).
Il nuovo impianto IIM-1 di Rapidus rappresenta una significativa innovazione rispetto ai modelli tradizionali e permette di ottimizzare i processi per la produzione. Per esempio, utilizza un front-end “single-wafer”che permette di apportare modifiche a un solo wafer e, se positive, di applicarle a tutti wafer successivi. In questo modo diventa possibile acquisire più dati, consentendo l’addestramento di modelli di intelligenza artificiale per migliorare la produzione e aumentare la resa.
L’impianto utilizza inoltre un processo di litografia avanzato a ultravioletti estremi (EUV), fondamentale per la formazione della struttura GAA a 2 nm.
L’azienda sottolinea che in meno di tre anni ha raggiunto i traguardi prefissati per l’IIM-1: dall’inaugurazione del progetto a settembre 2023, al completamento della camera bianca nel 2024 e, a giugno 2025, alla connessione di oltre 200 delle apparecchiature a semiconduttore più avanzate al mondo.
Rapidus sta sviluppando un kit di progettazione di processo compatibile con il processo a 2 nm dell’impianto IIM-1 e lo rilascerà ai clienti entro il primo trimestre del 2026, preparando al contempo un ambiente in cui i clienti potranno avviare i propri prototipi. Rapidus inizierà la produzione di massa nel 2027.