Toshiba presenta una serie di MOSFET con clamp attivo per il pilotaggio dei relè

Pubblicato il 26 giugno 2018

Toshiba Electronics Europe ha realizzato una nuova serie di MOSFET che integra una struttura a clamp attivo con un diodo integrato tra i terminali di drain e di gate.

Questi MOSFET integrano inoltre una resistenza di pull-down, una resistenza serie e un diodo Zener, che contribuiscono a diminuire il numero di componenti esterni e a ridurre l’occupazione di spazio su PCB.

I nuovi componenti sono siglati SSM3K357R e SSM6N357R e sono destinati al pilotaggio di carichi induttivi, come i relè meccanici o i solenoidi.

La nuova serie 357 protegge i driver contro possibili danni prodotti da sbalzi di tensione, come quelli causati dalla forza controelettromotrice generata da un carico induttivo.

I dispositivi sopportano una tensione drain-source massima (VDSS) di 60V e una corrente di drain (ID) massima di 0,65A. Il valore di resistenza di ON al drain-source (RDS(ON)), pari a 800mΩ a VGS = 5,0 V, assicura un funzionamento efficiente con una produzione di calore minima.



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