Toshiba: nuovi MOSFET compatti e a bassa resistenza di ON

Pubblicato il 3 novembre 2020

Toshiba Electronics Europe ha ampliato il proprio portafoglio di MOSFET a canale N a basso consumo con l’introduzione dei dispositivi SSM6N951L.

Si tratta di componenti destinati nello specifico ad essere inclusi nel circuito di protezione delle batterie integrato nei power pack agli ioni di litio. La bassissima resistenza di ON (4,6 mΩ massimi con una V GS di 3,8 V) e i valori estremamente ridotti di corrente di dispersione al gate-source (1μA massimi con una V GS di 8 V ) consentono a questo dispositivo discreto di offrire caratteristiche di resistenza termica nettamente inferiori rispetto ad altri modelli.

Ciò è particolarmente importante durante i cicli di carica/scarica delle batterie poiché consente di sviluppare soluzioni a densità superiore che supportano velocità di ricarica maggiori, oltre ad assicurare un’affidabilità molto più elevata e una durata operativa più lunga.

Questi nuovi MOSFET utilizzano un package con formato TCSP6A-172101 a basso profilo (con dimensioni di 2,14×1,67×0,11 mm). Di conseguenza sono ottimizzati per applicazioni di apparecchiature alimentate a batterie soggette a vincoli di spazio.



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