Toshiba: nuovi MOSFET a canale per applicazioni automobilistiche

Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua offerta di MOSFET di potenza a canale N destinati ad applicazioni in ambito automobilistico con il lancio di due nuovi dispositivi: TK160F10N1, da 100 V / 160 A e TK200F04N1L, da 40 V / 200 A. Le applicazioni tipiche comprendono i sistemi di comando del servosterzo (EPS), i convertitori DC-DC e gli interruttori di carico (load switch).

Entrambi i dispositivi sono costituiti da un chip fabbricato con il processo U-MOSVIII-H inserito in un contenitore di tipo TO-220SM(W), la cui resistenza è ridotta al minimo grazie al nuovo connettore interno in rame. Tali dispositivi offrono così il minimo valore di resistenza di conduzione disponibile sul mercato. Entrambi i dispositivi hanno una resistenza termica massima di soli R_th(ch-c) = 0,4˚ C/W e una temperatura di canale massima pari a 175˚C.

I nuovi MOSFET garantiscono una maggiore efficienza e una minore generazione di calore per applicazioni come servosterzi, convertitori DC-DC e gli interruttori di collegamento tra la linea di alimentazione e il carico. Inoltre, il processo U-MOSVIII-H offre una migliore soppressione delle ondulazioni di tensione  dovute alla commutazione (ripple) rispetto alla generazione precedente e contribuisce a ridurre il rumore dovuto all’interferenza elettromagnetica nelle diverse applicazioni.

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