Toshiba Electronics Europe ha presentato dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di silicio (SiC) da 650V basati sulla più recente tecnologia di terza generazione dell’azienda. I nuovi dispositivi sono specificamente destinati all’utilizzo in apparecchi industriali critici per l’efficienza, tra cui gli alimentatori a commutazione, le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici (EV) e gli inverter fotovoltaici (FV).
I dispositivi di terza generazione raggiungono un valore particolarmente basso di tensione diretta (VF) di 1,2 V (tip.) e migliorano il bilanciamento tra VF e carica capacitiva totale (QC ), che è tipicamente di 17nC per il diodo TRS6E65H.
Inoltre, con il modello TRS6E65H, che raggiunge un valore tipico di IR di 1,1µA, il rapporto tra VF e la corrente inversa (IR) è migliorato rispetto ai prodotti di seconda generazione. Tutti questi miglioramenti riducono la dissipazione di energia e contribuiscono a offrire livelli più elevati di efficienza all’interno delle apparecchiature finali.
I dispositivi della serie TRSxxx65H sono in grado di sopportare correnti DC dirette (IF(DC)) fino a 12 A e correnti di sovratensione non ripetitive a onda quadra IFSM fino a 640A. Sette dei nuovi dispositivi sono alloggiati in package TO-220-2L, mentre i restanti cinque sono forniti in package SMD DFN8×8.