Toshiba: MOSFET di potenza a supergiunzione DTMOS IV fino a 650 V

Pubblicato il 28 maggio 2014

Toshiba Electronics Europe estende la sua serie di MOSFET a supergiunzione compatti e ad alta efficienza con nuovi dispositivi caratterizzati da tensioni nominali fino a 650 V. I nuovi MOSFET da 650 V sono l’ideale in ambienti o applicazioni in cui la tensione di rete oscilla continuamente o in cui le temperature sono molto basse. La più ampia gamma di tensioni di lavoro permette inoltre una maggiore versatilità di progetto, allargando i margini operativi di sicurezza.

I nuovi MOSFET di potenza da 650 V si basano sul processo a supergiunzione DTMOS IV a trincea profonda di quarta generazione e sono disponibili in sette diversi contenitori compatti. I dispositivi possono essere dotati di un diodo integrato a recupero rapido (FRD, Fast Recovery Diode), che contribuisce a ridurre il numero dei componenti e a risparmiare spazio sul circuito stampato nei commutatori ad alta frequenza. Le applicazioni della serie da 650 V comprenderanno alimentatori a commutazione, ballast per lampade, inverter fotovoltaici e altre apparecchiature che richiedono al contempo velocità elevate, un’alta efficienza e un basso rumore elettromagnetico.

lv



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