Toshiba: MOSFET a 40V e 60V con processo U-MOS-IX-H

Pubblicato il 6 novembre 2017

Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato nuovi MOSFET di potenza a 40V e 60V basati sul processo trench U-MOS-IX-H di ultima generazione.

Il package utilizzato è quello DPAK e questi dispositivi sono particolarmente interessanti per applicazioni di conversione di potenza, inclusi i convertitori AC-DC e DC-DC, gli alimentatori e gli azionamenti per motori.

Siglati TK3R1P04PL, TK4R4P06PL e TK6R7P06PL i nuovi MOSFET cono componenti a canale N che possono essere pilotati da livelli logici a 4,5V e offrono valori nominali massimi di resistenza di RDS(ON) di 3,1mΩ (@ VGS = 10V).

TK3R1P04PL è un MOSFET a 40V con una RDS(ON) massima di 3,1mΩ e un valore nominale massimo di corrente di drain (ID) di 58A (a una temperatura di 25°C).

TK4R4P06PL e TK6R7P06PL a 60V hanno rispettivamente una RDS(ON) massima e una ID massima di 4,4mΩ e 58A e di 6,7mΩ e 46A.

Tutti i nuovi MOSFET sono progettati per operare con una bassa carica in uscita per ottimizzare ulteriormente l’efficienza e le prestazioni.



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