I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V.
Questi prodotti sono realizzati utilizzando il processo U-MOSX-H di ultima generazione e raggiungono una bassa RDS (ON) che consente ai progettisti di massimizzare l’efficienza dei sistemi a 48 V, migliorando le prestazioni e prolungando la durata della batteria dell’auto. In particolare, i dispositivi XPH2R608Q offrono una RDS(ON) di 2,55 mΩ , mentre la versione XPH3R908QB presenta un valore massimo di 3,9 mΩ.
Il package SOP WF con una struttura del connettore in rame riduce la resistenza, aumentando l’efficienza, e migliora la dissipazione del calore, incrementando l’affidabilità del sistema. Il design con fianco bagnabile dell’alloggiamento migliora la visibilità delle saldature e rende più facile verificare le condizioni di montaggio su scheda attraverso apparecchiature di ispezione ottica automatizzata (AOI), migliorando l’affidabilità complessiva del sistema.
Per quanto riguarda le possibilità di impiego, i nuovi Mosfet di Toshiba sono utilizzabili per motori DC brushless a canale N (Bldc) e nei circuiti convertitori DC-DC buck non isolati. Oltre ai sistemi automotive, altre applicazioni includono azionamenti per motori, alimentatori a commutazione e interruttori di carico. La gamma della serie automotive da 80 V basati sul processo U-MOSX-H include anche la versione XPQR8308QB, con package L-TOGL ad alta dissipazione di calore.