Toshiba Electronics: nuova generazione di MOSFET per apparecchiature alimentate a batteria

Pubblicato il 6 dicembre 2011

Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova generazione di MOSFET a media potenza per la gestione dei circuiti di alimentazione dei dispositivi portatili. Gli ultracompatti transistor MOSFET SSM3J13xTU soddisfano i requisiti di commutazione a bassa potenza, alta velocità e alta corrente dei circuiti di alimentazione periferici, in applicazioni come telefoni cellulari, fotocamere digitali e altre apparecchiature alimentate a batteria.

Realizzati con la tecnologia di processo Toshiba U-MOSVI a canale P, i MOSFET SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU hanno una corrente di drain nominale (ID) pari rispettivamente a -5,5 A, -3,2 A e -3,0 A. Tutti i dispositivi hanno una tensione nominale tra drain e source (VDSS) pari a 20 V e una tensione nominale tra gate e source (VGSS) pari a ±8 V. Oltre alla tensione massima tra gate e source, i MOSFET presentano una tensione di soglia di gate (Vth) non superiore a 1,0 V, il che permette di avere commutazioni stabili già a partire da 1,5 V. Grazie a queste commutazioni a bassa tensione, i dispositivi SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU sono l’ideale per realizzare alimentatori di tipo switching.

I nuovi MOSFET a canale P garantiscono valori ottimali di efficienza e velocità di commutazione grazie a un design che riduce al minimo la resistenza di conduzione (RDS(ON)) e la capacità di ingresso (Ciss). Poiché i modelli SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU offrono diversi valori nominali di (RDS(ON))  e Ciss, i progettisti hanno la possibilità di scegliere il dispositivo ottimale per la propria applicazione: SSM3J133TU, con la (RDS(ON)) più piccola, per ridurre le perdite, oppure SSM3J135TU, con la Ciss più piccola, per aumentare la velocità di funzionamento. Il modello SSM3J134TU offre invece un buon compromesso tra perdite e velocità di commutazione. Oltre a questi tre MOSFET, il modello SSM3J132TU presenta una (RDS(ON)) non superiore a 98 mohm una tensione tra gate e source di 1,2 V.

Tutti i nuovi MOSFET sono forniti in contenitori UFM a montaggio superficiale che occupano un’area di appena 2,0 mm x 2,1 mm, con uno spessore di soli 0,7 mm. Grazie al design piatto, questo contenitore può dissipare una potenza di 500 mW, con lo stesso ingombro superficiale del classico SOT-323.



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