Toshiba Electronics: MOSFET a bassa tensione e alta corrente per commutazioni veloci

Pubblicato il 30 agosto 2011

Toshiba Electronics Europe (TEE) estende la famiglia di MOSFET di potenza da 30 V con nuovi dispositivi che combinano commutazioni ad alta velocità, correnti nominali elevate e un contenitore dalla forma compatta. I nuovi dispositivi della famiglia TPCx sono adatti per una vasta gamma di elettrodomestici digitali, sistemi per l’ufficio e altri prodotti che richiedono una conversione DC/DC a raddrizzamento sincrono.

Basati sul processo Toshiba di settima generazione UMOS VII-H, i nuovi prodotti della famiglia TPCx di MOSFET di potenza a bassa tensione comprendono nove dispositivi in contenitori SOP-8 e nel nuovo formato TSON Advance. Quest’ultimo fa da ponte tra i formati industriali SOT23 e SOP8: con un ingombro di soli 3,3 mm x 3,3 mm, questo contenitore occupa il 64% in meno di spazio rispetto a un dispositivo SOP-8 di pari potenza nominale.

La struttura a trincea a bassa tensione dei dispositivi UMOS VII-H di Toshiba permette ai nuovi MOSFET di combinare una bassa resistenza di conduzione (RDS(ON)) con una commutazione ad alta velocità. Inoltre, la bassa resistenza interna di gate e il basso rapporto di capacità di gate Cgd/Cgs riducono la possibilità di attivazioni indesiderate.

Tutti i nuovi MOSFET presentano una tensione VDSS massima di 30 V e una tensione VGSS massima di ±20 V. La RDS(ON) (VGS = 10 V) va tipicamente da 20 mΩ a soli 6,0 mΩ, a seconda del dispositivo scelto. I dispositivi TPC806x-H e TPC822x-H sono disponibili rispettivamente in contenitori SOP-8 e SOP-8 dual-chip. I modelli TPCC806x-H in contenitore TSON Advance hanno una base metallica che permette di dissipare fino a 1,9 W di potenza. 



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