Toshiba Memory Europe ha annunciato lo sviluppo dei prototipi di memorie BiCS FLASH a 96 strati utilizzando la sua tecnologia flash proprietaria 3D con cella a quattro livelli (QLC).
Il ricorso alla tecnologia QLC permette di incrementare il numero di bit per i dati di ogni cella di memoria da tre a quattro, espandendone significativamente la capacità. Il nuovo prodotto permette di disporre di una capacità pari a 1,33 terabit per singolo chip, ed è stato sviluppato in collaborazione con Western Digital Corporation.
È possibile inoltre ottenere una capacità di 2,66 terabyte in un singolo package utilizzando un’architettura costituita da uno stack di 16 chip.
Toshiba Memory inizierà a consegnare i campioni ai produttori di SSD e di controller per SSD per la valutazione dall’inizio di Settembre e prevede di iniziare la produzione in volumi nel 2019.