Toshiba amplia la gamma di MOSFET a canale N per automotive

Pubblicato il 10 settembre 2020

Toshiba Electronics Europe ha sviluppato una serie di nuovi MOSFET a canale N ad alta efficienza per applicazioni automotive basate sulla tecnologia avanzata di processo U-MOSVIII-H dell’azienda.

I dispositivi XPN3R804NC e XPN7R104NC hanno entrambi una tensione nominale di 40V, mentre i modelli XPN6R706NC e XPN12006NC supportano il funzionamento a 60V.

Tutti presentano valori estremamente bassi di resistenza di ON, che raggiungono anche i 3,8mΩ (per la versione XPN3R804NC a 10V) e sono inoltre caratterizzati da una corrente di perdita minima.

Questi MOSFET sono alloggiati in package TSON Advance (WF) a montaggio superficiale con un’occupazione di spazio su scheda ridotta al minimo. Hanno un ingombro di 3,3×3,6 mm (tipico) e possono sostituire i dispositivi con dimensioni pari a 5×6 mm.

Conformi allo standard AEC-Q101, questi MOSFET possono contribuire in modo significativo a una riduzione delle dimensioni delle unità di controllo elettronico (ECU) dei veicoli. Altri scenari applicativi in cui possono essere utilizzati includono i regolatori switching, i convertitori DC-DC e gli azionamenti per motori.



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