TI: nuovi MOSFET NexFET da 40 V a 100 V

Pubblicato il 5 maggio 2014

A integrazione della gamma NexFET, Texas Instruments ha presentato 14 MOSFET di potenza in package TO-220 e SON per tensioni in ingresso da 40 V a 100 V. I NexFET ad alta efficienza, comprendono dispositivi a canale N da 40, 60, 80 e 100 V che offrono eccellenti prestazioni termiche in un’ampia gamma di applicazioni per l’alimentazione e il controllo di motori ad alta corrente.

Due dei nuovi dispositivi NexFET da 80 V e 100 V offrono la minima resistenza attualmente raggiungibile in un package TO-220 senza sacrificare il livello di carica sul gate, assicurando in tal modo ai progettisti un’efficienza superiore di conversione della potenza in presenza di correnti più alte. Il modello  CSD19506  supporta 2,0 milliohm di Rds(on) con una tensione in ingresso fino a 80 V, mentre il CSD19536 arriva a 2,3 milliohm di Rds(on) con un ingresso di 100 V. Entrambi i prodotti hanno package in plastica con effetto valanga elevato per supportare applicazioni di controllo motori con forti sollecitazioni.

La tecnologia dei MOSFET di potenza NexFET migliora l’efficienza energetica nelle applicazioni di calcolo ad alta capacità, networking, apparecchiature industriali e alimentatori. Questi MOSFET di potenza analogici ad alta frequenza e alta efficienza offrono ai progettisti le soluzioni più avanzate attualmente disponibili per la conversione di potenza CC/CC.

lv



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