Tecnologia GaN nei moduli multi-chip di NXP per le infrastrutture 5G

NXP Semiconductors ha annunciato l’integrazione della tecnologia al nitruro di gallio (GaN) nella sua piattaforma di moduli multi-chip per 5G. Grazie anche all’investimento dell’azienda nella sua fabbrica GaN in Arizona, NXP è la prima ad annunciare soluzioni RF per massive MIMO 5G che combinano l’elevata efficienza dei componenti GaN con la compattezza dei moduli multi-chip.

La riduzione del consumo energetico è infatti un obiettivo importante per le infrastrutture di telecomunicazione, dove ogni punto percentuale di efficienza diventa importante. L’uso della tecnologia GaN nei moduli multi-chip aumenta l’efficienza fino al 52% a 2,6 GHz, 8 punti percentuali in più rispetto alla precedente generazione di moduli dell’azienda.

NXP ha ulteriormente migliorato le prestazioni con una combinazione proprietaria di LDMOS e GaN in un unico dispositivo che rende possibile progettare radio a banda larga con un singolo amplificatore di potenza.

Il nuovo portafoglio consentirà agli sviluppatori RF di ridurre le dimensioni e il peso delle unità radio.
I nuovi moduli multi-chip 5G di NXP saranno campionati nel terzo trimestre e la produzione inizierà entro la fine dell’anno.

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