STMicroelectronics produce i primi wafer in carburo di silicio da 200 mm

STMicroelectronics ha annunciato di avere prodotto, nel suo stabilimento di Norrköping, in Svezia, i primi wafer in carburo di silicio (SiC) da 200 mm (equivalenti a 8 pollici) per la prototipazione di dispositivi di potenza di nuova generazione.

L’azienda precisa che la transizione verso i wafer SiC da 200 mm segna una tappa importante nell’espansione della capacità produttiva di ST a supporto dei suoi programmi per i clienti dei settori automotive e industriale.

La bassa difettosità dei nuovi wafer è stata ottenuta mettendo a frutto il know-how e le competenze sviluppate da STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. (ex Norstel A.B., acquisita da ST nel 2019). Oltre a soddisfare elevati requisiti di qualità, la transizione ai substrati in SiC da 200 mm richiede un passo avanti nelle attrezzature di produzione e nelle prestazioni generali dell’ecosistema di supporto. ST, in collaborazione con partner tecnologici che coprono l’intera filiera, sta sviluppando proprie attrezzature e processi per la fabbricazione di SiC da 200 mm.

Attualmente, ST produce dispositivi SiC STPOWER di alta qualità e in volumi elevati su due linee per substrati da 150 mm negli stabilimenti di Catania e Ang Mo Kio (Singapore), mentre le operazioni di assemblaggio e collaudo si svolgono nei siti back-end di Shenzhen (Cina) e Bouskoura (Marocco). Il nuovo sviluppo si colloca nell’ambito della transizione pianificata dall’azienda verso una produzione in alti volumi più avanzata ed economicamente efficiente di SiC da 200 mm, transizione che rientra nel piano già avviato dalla Società per realizzare un nuovo impianto di substrati in SiC e arrivare all’approvvigionamento interno di oltre il 40% dei wafer SiC entro il 2024.

“La transizione ai wafer SiC da 200 mm apporterà vantaggi sostanziali ai nostri clienti dei settori automotive e industriale, che stanno accelerando la transizione verso l’elettrificazione dei loro sistemi e prodotti”, ha dichiarato Marco Monti, President Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics. importante per sostenere economie di scala e accompagnare l’espansione in volume dei prodotti. La creazione di un solido know-how nel nostro ecosistema SiC interno a tutti i livelli della catena di produzione, dai substrati in SiC di alta qualità alla produzione front-end e back-end su larga scala, migliora la nostra flessibilità e ci permette di controllare maggiormente il miglioramento della resa e della qualità dei nostri wafer.”

Contenuti correlati

• 
  Accordo quadro fra STMicroelectronics e Scuola Superiore Sant’Anna

  STMicroelectronics e Scuola Superiore Sant’Anna di Pisa hanno firmato una convenzione quadro ad ampio spettro per la collaborazione su attività e progetti comuni relativi a temi ingegneristici come la robotica tradizionale e quella collaborativa, utilizzando tecnologie di...
• 
  Infineon apre una nuova fabbrica di chip per l’elettronica di potenza in Austria

  Infineon Technologies ha aperto ufficialmente la sua nuova fabbrica di chip per l’elettronica di potenza su wafer sottili da 300 millimetri a Villach, in Austria. Con il motto “Ready for Mission Future“, il CEO di Infineon Reinhard...
• 
  Progettazione di un circuito a bandgap robusto e affidabile grazie a una rapida e accurata verifica variation-aware

  Questo articolo illustra come un gruppo di design Smart Power di STMicroelectronics ha utilizzato Solido Variation Designer per garantire che il blocco del circuito a bandgap, sempre presente nella maggior parte delle applicazioni analogiche e smart power,...
• 
  La misura dell’energia in DC

  Spinte dallo sviluppo di tecnologie di conversione dell’energia efficienti ed economiche basate su semiconduttori wide band gap, come i dispositivi GaN e SiC, molte applicazioni ora vedono benefici nel passare all’utilizzo di energia in corrente continua. Come conseguenza...
• 
  onsemi acquisirà GT Advanced Technologies

  onsemi e GT Advanced Technologies (GTAT), un produttore di carburo di silicio (SiC), hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo in base al quale onsemi acquisirà GTAT per 415 milioni di dollari. La transazione dovrebbe posizionare...
• 
  Lo stabilimento STMicroelectronics di Bouskoura userà il 50% di energia da fonti rinnovabili entro il 2022

  STMicroelectronics ha annunciato che il suo sito di Bouskoura, in Marocco, acquisterà la sua energia per il 50% da fonti rinnovabili entro il 2022 rispetto all’1% nel 2020. Questa decisione rientra nel piano d’azione diretto al raggiungimento...
• 
  Da ROHM IGBT ibridi con diodo SiC integrato

  ROHM  ha realizzato la serie RGWxx65C (i modelli sono siglati rispettivamente RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo Schottky SiC da 650 V integrato. I dispositivi sono conformi allo standard AEC-Q101 per il settore automotive...
• 
  Partnership tra Politecnico di Milano, Fluid-o-Tech e STMicroelectronics

  Politecnico di Milano, Fluid-o-Tech e STMicroelectronics hanno siglato una partnership per realizzare un nuovo laboratorio congiunto nel campo della sensoristica digitale per la fluidica intelligente. Questa partnership condividerà le migliori competenze scientifiche, ingegneristiche, industriali e di mercato...
• 
  Progettazione mixed-signal: la specializzazione stimola l’innovazione

  Settore molto specializzato, la progettazione a segnali misti richiede il supporto di partner in grado di analizzare al meglio le esigenze dei progettisti per indirizzarli nella scelta dei dispositivi più adatti per lo sviluppo dei loro design Leggi...
• 
  Collaborazione strategica nell’elettronica di potenza fra il Gruppo Renault e STMicroelectronics

  Il Gruppo Renault e STMicroelectronics hanno annunciato una collaborazione strategica a livello di progettazione, sviluppo, produzione e fornitura al Gruppo Renault di prodotti – e relative soluzioni di packaging – di STMicroelectronics per i sistemi di elettronica...