Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità).
Si tratta di sette nuovi modelli disponibili nei package TO-247, Toll e DFN8x8 e, rispetto alla serie Dtmosvi 600 V esistente sprovvista di diodo di recupero ad alta velocità integrato, il tempo di recupero inverso (trr) risulta ridotto di circa il 60 % mentre la carica di recupero inverso (Qrr) è inferiore di circa l’85 %
Un’ulteriore caratteristica interessante è relativa alla riduzione delle perdite di conduzione, azionamento e commutazione. Toshiba sottolinea infatti che nella serie di dispositivi Dtmosvi 600 V, compresi i nuovi prodotti, il design e il processo produttivo ottimizzati consentono di ridurre il prodotto di RDS (ON) per la carica totale di gate (Qg) di circa il 36 % e il prodotto di RDS (ON) per la carica gate-drain (Qgd) di circa il 52 % rispetto alla generazione precedente di Toshiba (la serie Dtmosiv-H) a parità di tensione nominale.
Dal punto di vista del supporto per la progettazione degli alimentatori a commutazione, Toshiba offre i modelli G2 SPICE altamente accurati che riproducono le caratteristiche in transitorio. Il simulatore circuitale online consente inoltre di verificare il funzionamento dei circuiti senza la necessità di dover predisporre un ambiente di simulazione e di scaricare i modelli dei componenti.