SemiQ ha lanciato una famiglia di moduli Mosfet a semiponte da 1200 V utilizzabile per applicazioni come per esempio azionamenti di motori in sistemi di raffreddamento per data center, convertitori di rete in sistemi di accumulo di energia e azionamenti industriali.
La famiglia QSiC Dual3 permette la realizzazione di convertitori di potenza caratterizzati da efficienza di conversione e densità di potenza particolarmente elevate.
La nuova gamma integra opzionalmente un diodo Schottky in parallelo per ridurre ulteriormente le perdite di commutazione in ambienti ad alta temperatura.
La famiglia comprende sei dispositivi e due di questi offrono una resistenza RDS(on) di 1 mΩ e una densità di potenza di 240 W/in³ in un package che misura 62×152 mm.
I moduli QSiC Dual3 sono stati sviluppati per consentire la sostituzione dei moduli IGBT con una riprogettazione minima. Questi componenti presentano inoltre una bassa resistenza termica tra giunzione e involucro e consentono una progettazione di sistema semplificata con l’impiego di dissipatori di calore più piccoli e leggeri.