STMicroelectronics e Samsung hanno siglato un accordo di collaborazione sulla tecnologia Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) da 28 nanometri, per garantire l’accesso alla produzione a più fonti.
L’accordo di licenza permette ai clienti di accedere alle soluzioni avanzate realizzate nelle linee di produzione da 300 mm di Samsung e garantisce all’industria una produzione in volumi elevati della tecnologia FD-SOI di ST.
L’accordo riguarda la tecnologia di processo completamente sviluppata e la piattaforma di progettazione di ST e si aggiunge alle risorse avanzate di produzione di cui ST dispone per la tecnologia FD-SOI 28 nm presso le proprie linee da 300 mm a Crolles (Francia).
Il processo FD-SOI da 28 nm di Samsung sarà qualificato agli inizi del 2015 per la produzione in volumi.