ROHM Semiconductor: terza generazione di MOSFET SiC con struttura trench gate

Pubblicato il 14 luglio 2014

ROHM Semiconductor ha presentato la terza generazione di MOSFET SiC basati sulla struttura trench gate, segnando un’altra pietra miliare dell’attività di sviluppo di MOSFET SiC avviata nel 2010. Rispetto ai tradizionali MOSFET planari, dotati di regioni JFET che aumentano la resistenza di on, i nuovi dispositivi presentano valori della resistenza di on che sono circa la metà degli equivalenti planari sull’intero intervallo di temperature, mentre la stabilità dello strato di ossido del gate e del diodo di body è la stessa dei MOSFET SiC Rohm di seconda generazione.

Essendo riusciti a risolvere i problemi di rottura dell’ossido in presenza di un’elevata tensione source-drain, i MOSFET SiC Rohm offrono un’affidabilità e una capacità di corrente maggiori con ridotta densità delle celle, minime perdite di conduzione e in fase di switching, mantenendo un formato compatto.

I Mosfet sono destinati  principalmente alle applicazioni: inverter per solare;azionamento motore; alimentatori (UPS / telecom);settore automotive; riscaldamento a induzione per il settore industriale.



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