Rohm Semiconductor: gate driver al carburo di silicio isolati

Pubblicato il 16 luglio 2012

Rohm Semiconductor ha introdotto la famiglia BM6 di gate driver al carburo di silicio (SiC) isolati da 2.500 Vrms che contribuiscono a ridurre i consumi e ad agevolare la progettazione.

Per le loro caratteristiche i dispositivi BM6 sono indicati per il controllo di inverter e convertitori DC/DC destinati ad applicazioni a energia solare e automotive. IN particolare le caratteristiche elettriche e l’elevata tensione in uscita consentono il controllo sia di IGBT sia di Mosfet al carburo di silicio. La serie, come altri dispositivi SiC di Rohm Semiconductor, permette un funzionamento ad alta velocità stabile anche in aree ad alta potenza.

Per sviluppare processi per trasformatori on-chip la società ha utilizzato la tecnica di microfabbricazione proprietaria: il dispositivo è alloggiato in un package SSOP-B20W compatto e non necessita di parti esterne, riducendo l’area di montaggio del 50% rispetto a prodotti tradizionali. Inoltre la tecnologia dei trasformatori ‘coreless’ prevede la funzione di isolamento che consente una tensione di isolamento di 2.500 Vrms.

Infine i gate driver BM6 sono dotati di funzioni di protezione, tra cui ‘thermal shutdown’ e protezione da cortocircuiti, controllo dei guasti e del carico. Un’apposita funzione disattiva l’inverter in caso di desaturazione.



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