ROHM e STMicroelectronics, azienda leader nel settore dei semiconduttori, hanno sottoscritto un accordo pluriennale per la fornitura di wafer al carburo di silicio (SiC) con SiCrystal, azienda del Gruppo ROHM che vanta la quota di mercato più ampia sul mercato europeo dei wafer SiC. L’accordo, per un valore di oltre 120 milioni di dollari, regola la fornitura di wafer al carburo di silicio a tecnologia avanzata da 150 mm da parte di SiCrystal a STMicroelectronics proprio in un periodo in cui si registra una crescita nella domanda di dispositivi di potenza al carburo di silicio. Inoltre l’operazione aumenterà la flessibilità industriale e contribuirà all’espansione commerciale dei prodotti SiC in applicazioni automotive ed industriali.
“Questo ulteriore accordo a lungo termine per la fornitura di substrati SiC arriva al culmine della capacità esterna che abbiamo già garantito e della capacità interna che stiamo incrementando. Consentirà a ST di aumentare il volume e il resto dei wafer di cui avremo bisogno per rispondere al forte aumento nella domanda proveniente da clienti per i programmi automotive ed industriali nel corso dei prossimi anni”, ha affermato Jean-Marc Chery, Presidente e CEO di STMicroelectronics.
“SiCrystal, azienda del Gruppo ROHM leader nel settore del SiC, produce wafer SiC da moltissimi anni. Siamo molto soddisfatti di questo accordo di fornitura che abbiamo sottoscritto con il nostro cliente di lunga data ST. Continueremo a supportare il nostro partner nella sua strategia di espansione del business nel settore del carburo di silicio incrementando continuamente le quantità di wafer e fornendo sempre una qualità affidabile”, ha dichiarato il Dr. Robert Eckstein, Presidente e CEO di SiCrystal.
L’adozione di soluzioni di potenza con SiC sta prendendo sempre più piede sia nel settore automotive sia in quello industriale. Con questo accordo le due aziende contribuiranno alla diffusione dell’uso del SiC in questi settori.