ROHM e LEADRIVE istituiscono un laboratorio congiunto per la tecnologia SiC

Pubblicato il 9 luglio 2020

ROHM e Leadrive Technology hanno inaugurato un laboratorio congiunto per la tecnologia SiC  situato nella China (Shanghai) Pilot Free Trade Zone.

Le due aziende hanno attivato dal 2017, nell’ambito di una reciproca collaborazione, scambi tecnici in merito ad applicazioni del settore automotive che utilizzano dispositivi di potenza SiC.

L’istituzione di un laboratorio di ricerca congiunto imperniato su moduli ed inverter di potenza dei veicoli che utilizzano i chip MOSFET SiC e i gate driver isolati di ROHM darà l’opportunità ad entrambe le aziende di accelerare ulteriormente lo sviluppo di soluzioni di potenza innovative.

“L’adozione di moduli di potenza che integrano chip in SiC per i veicoli a nuove energie diventerà un trend del settore nel giro del prossimo biennio. La commercializzazione di dispositivi maturi in SiC attraverso risorse recuperate in tutto il mondo e attività di R&D ci conferisce un vantaggio competitivo in quanto azienda produttrice Tier 1 nel settore automotive”, ha dichiarato il Dr. Jie Shen, Presidente e Direttore Generale di Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd.

“Nella veste di azienda pionieristica e leader nella fornitura di dispositivi di potenza SiC, ROHM vanta notevoli credenziali nel campo delle soluzioni di potenza di alta qualità che coniugano la tecnologia di dispositivi ai vertici del settore con i circuiti driver integrati, inoltre ci prodighiamo nella promozione dell’uso del SiC in applicazioni xEV”, ha aggiunto il Dr. Kazuhide Ino, membro del C.d.A., dirigente aziendale, CSO e Direttore responsabile della business unit Power Device in ROHM Co., Ltd. “La comprensione delle esigenze dei clienti e dei trend di mercato è estremamente importante quando si sviluppa una tecnologia dei dispositivi di potenza SiC. LEADRIVE riveste un importante ruolo nella ricerca applicata sul SiC, in qualità di azienda produttrice di moduli di potenza ed inverter per il settore automotive. Attraverso questo laboratorio di ricerca congiunto possiamo consolidare la nostra partnership e contribuire all’innovazione tecnica di soluzioni di potenza per il settore automotive imperniate sul SiC”, ha concluso il Dr. Ino.



Contenuti correlati

  • Un caricabatterie da Rohm per la ricarica a bassa tensione

    BD71631QWZ è un nuovo circuito integrato per caricabatterie realizzato da ROHM. Si tratta di un componente progettato per la ricarica a bassa tensione di dispositivi indossabili, come cuffie wireless, ma anche per dispositivi IoT sottili e compatti,...

  • ROHM riconosciuto come fornitore preferenziale di soluzioni di potenza SiC da UAES

    Il produttore automobilistico cinese Tier 1 UAES (United Automotive Electronic Systems Co., Ltd.) ha recentemente certificato ROHM come fornitore preferito di soluzioni di potenza SiC. ROHM e UAES collaborano ed effettuano scambi tecnologici dettagliati sullo sviluppo di...

  • Il nuovo sensore di pressione barometrica classificato IPX8 di ROHM

    BM1390GLV (-Z) è un nuovo sensore di pressione barometrica di ROHM e si caratterizza per le sue dimensioni compatte e l’altissima precisione. Classificato IPX8 per quanto riguarda la resistenza all’acqua, è utilizzabile per elettrodomestici, apparecchiature industriali e...

  • Joint venture per i moduli di potenza SiC fra Zhenghai Group e ROHM

    Zhenghai Group e ROHM hanno firmato un accordo di joint venture per costituire una nuova società nel settore dei moduli di potenza. La nuova società, “HAIMOSIC (SHANGHAI) CO.,LTD.” dovrebbe essere costituita in Cina nel dicembre 2021, e...

  • MOSFET Si o SiC: criteri di scelta

    I MOSFET al carburo di silicio (SiC) consentono di ottenere livelli di efficienza molto più alti rispetto alle versioni al Silicio (Si), anche se non è sempre facile decidere quando questa tecnologia costituisce l’opzione migliore. Nell’articolo che...

  • Apre a Carugate il laboratorio italiano di UL per la compatibilità elettromagnetica e wireless

    UL ha ufficialmente aperto un rinnovato e ampliato laboratorio per la Compatibilità Elettromagnetica (EMC) e wireless a Carugate, a 20 chilometri da Milano. Il laboratorio fornirà un’offerta completa e personalizzabile di servizi per testare la compatibilità elettromagnetica...

  • La misura dell’energia in DC

    Spinte dallo sviluppo di tecnologie di conversione dell’energia efficienti ed economiche basate su semiconduttori wide band gap, come i dispositivi GaN e SiC, molte applicazioni ora vedono benefici nel passare all’utilizzo di energia in corrente continua. Come conseguenza...

  • Da ROHM una nuova serie di amplificatori operazionali EMARMOUR

    ROHM ha sviluppato la serie BD8758xY di amplificatori operazionali CMOS ad alta velocità con ingresso/uscita rail-to-rail. I dispositivi (BD87581YG-C, BD87582YFVM-C) sono dotati di una migliorata immunità EMI per le applicazioni del settore automotive e delle apparecchiature industriali...

  • ROHM celebra 50 anni di presenza in Europa

    In occasione del 50° anniversario in Europa, ROHM ha ripercorso la storia delle sue attività europee con un sito web speciale. ROHM Semiconductor Europe, infatti, è stata fondata nel 1971, con sede centrale a Willich nei pressi...

  • onsemi acquisirà GT Advanced Technologies

    onsemi e GT Advanced Technologies (GTAT), un produttore di carburo di silicio (SiC), hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo in base al quale onsemi acquisirà GTAT per 415 milioni di dollari. La transazione dovrebbe posizionare...

Scopri le novità scelte per te x