ROHM consolida la sua tecnologia per ottenere elevate performance dai dispositivi GaN

ROHM ha recentemente annunciato di aver consolidato la sua tecnologia per i circuiti integrati di controllo ottimizzata per i dispositivi GaN con la tecnologia di alimentazione Nano Pulse Control.

L’ulteriore evoluzione della tecnologia di controllo della larghezza d’impulso Nano Pulse Control, formulata per i circuiti integrati di potenza al fine di migliorarne sensibilmente la larghezza d’impulso di controllo, permette infatti di avere notevoli miglioramenti.

Attualmente ROHM è impegnata nella commercializzazione dei circuiti integrati di controllo che ricorrono a tale tecnologia e prevede di iniziare ad inviare campioni di controller DC-DC a singolo canale da 100 V durante il secondo semestre del 2023. Associandone l’utilizzo ai dispositivi GaN di ROHM (serie EcoGaN), si prevede che i livelli di miniaturizzazione e risparmio energetico saranno significativi per un gran numero di applicazioni, inclusi base station, centri di elaborazione dati, sistemi di automazione industriale (FA – Factory Automation) e droni.

Il Professor Yusuke Mori, Graduate School of Engineering, Università di Osaka ha dichiarato: “Il GaN (nitruro di gallio) è un materiale per semiconduttori di potenza di cui si è intuita già da molti anni la capacità di risparmio energetico, tuttavia esistono ostacoli sul piano della qualità e del costo. Circostanze che hanno indotto ROHM a consolidare un sistema di produzione in massa per dispositivi GaN che assicurano una maggiore affidabilità, pur sviluppando anche circuiti integrati di controllo in grado di portare le loro prestazioni ai massimi livelli. In altre parole, si tratta di un passo enorme verso la diffusa adozione dei dispositivi GaN. Per una dimostrazione reale delle prestazioni dei semiconduttori di potenza è necessario coordinare in maniera organica ogni tecnologia, ossia wafer, dispositivi, circuiti integrati di controllo e moduli. Da questo punto di vista, il Giappone è la sede di tante aziende leader, fra le quali anche ROHM. Auspico di contribuire alla realizzazione di una società decarbonizzata attraverso la collaborazione della nostra tecnologia wafer GaN on GaN con i dispositivi, i circuiti integrati di controllo e i moduli di ROHM.”

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