Il SoC HEMT GaN ICeGaN di Cambridge GaN Devices (CGD) ha ottenuto il riconoscimento “Miglior demo” alla Innovation Zone del 2023 Europe Technology Symposium di TSMC.
CGD evidenzia che il suo ICeGaN , che è ora nella fase di produzione in grandi volumi tramite la tecnologia di processo al GaN di TSMC, sta portando la complessità di un tipico circuito di comando esterno ai dispositivi HEMT GaN, utilizzando circuiti integrati monolitici.
Giorgia Longobardi, amministratrice delegata CGD, ha dichiarato: “CGD riconosce la leadership di TSMC nel campo dei dispositivi al GaN ad alta tensione – riteniamo che TSMC disponga del processo più maturo e affidabile nel settore e per questo motivo l’abbiamo prescelta per la realizzazione dei nostri SoC basati sulla tecnologia ICeGaN proprietaria. Siamo pertanto estremamente lieti di avere ottenuto il prestigioso riconoscimento TSMC per l’innovazione; ciò è particolarmente importante e significativo per noi perché l’innovazione è uno dei valori essenziali di CGD e miriamo a raggiungere una posizione di leadership tramite la tecnologia. Il riconoscimento è inoltre una vera e propria dimostrazione del successo che le nostre due aziende stanno ottenendo nel portare sul mercato l’innovativa, dirompente tecnologia del GaN”.
Paul De Bot, direttore generale presso TSMC Europe, ha sottolineato: “Le nostre più vive congratulazioni a CGD, che ha ottenuto un riconoscimento ben meritato per la sua tecnologia innovativa. TSMC guarda con fiducia alla cooperazione con CGD per poter offrire i suoi transistor al GaN ICeGaN da 650 V in grandi volumi ad aziende impegnate in molteplici applicazioni in tutto il mondo. Contiamo di collaborare fianco a fianco con CGD nel campo della tecnologia dei dispositivi a semiconduttori di potenza al GaN”.