RF Micro Devices ed Hitachi hanno annunciato recentemente un accordo di fornitura incrociata per la progettazione e la produzione di wafer GaAs Hbt e di moduli.
Si anticipa che, secondo l’accordo, Hitachi progetterà ed assemblerà i moduli per i prodotti di RF Micro Devices, mentre quest’ultima progetterà e fornirà wafer GaAs Hbt per i moduli di Hitachi.
L’accordo prevede inoltre che entrambe le parti utilizzino reciprocamente il fulcro delle rispettive competenze a livello internazionale, per accrescere il valore e la funzionalità dei propri prodotti, migliorare le proprie capacità e minimizzare i costi complessivi.