Queste Dram a bassa latenza da 576 Mb, proposte da Renesas Electronics, raddoppiano la capacità di memoria disponibile, migliorano del 25% le prestazioni dei cicli casualizzati per consentire letture e scritture di dati ad alta velocità, presentano una frequenza operativa del 33% più veloce e una riduzione di oltre 10% dei consumi di potenza rispetto ai prodotti Dram a bassa latenza da 288 Mb esistenti dell’azienda.
Sviluppate per soddisfare le richieste relative a maggiori capacità, velocità più elevate e minori consumi di potenza in memorie per usi in apparati di rete quali switch e router, al fine di assicurare corrette elaborazioni dell’aumentato traffico di dati e rivolgersi all’accresciuta importanza dell’efficienza energetica, dispongono delle seguenti caratteristiche fondamentali: ampia capacità ed elevata velocità combinate con bassi consumi di potenza; stesso contenitore di quello dei prodotti Dram a bassa latenza da 288 Mb esistenti, per permettere cicli di sviluppo più brevi.
Renesas Electronics: www.renesas.eu