Quattro nuovi MOSFET a supergiunzione da 650V da Toshiba

Pubblicato il 5 aprile 2022

Toshiba Electronics Europe ha aggiunto altri quattro MOSFET di potenza a supergiunzione a canale N da 650V alla sua serie DTMOSVI.

I nuovi dispositivi possono essere utilizzati principalmente in applicazioni quali l’alimentazione in campo industriale e per l’illuminazione e altre applicazioni in cui è richiesta la massima efficienza con un fattore di forma ridotto.

I nuovi MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z e TK190E65Z consentono di ottenere una riduzione del 40% rispetto alla generazione precedente di DTMOS della figura di merito (FoM) del prodotto resistenza di on al drain-source (RDSON) x carica al gate-drain (Qgd). Ciò si traduce in una sostanziale diminuzione delle perdite di commutazione rispetto ai dispositivi precedenti. Di conseguenza, i progetti che integrano i nuovi dispositivi possono avvantaggiarsi di una maggiore efficienza. Il miglioramento delle prestazioni interessa sia i nuovi progetti che agli aggiornamenti dei progetti esistenti.

Tutti i nuovi dispositivi offrono una tensione al drain-source (VDSS) di 650V con una capacità di corrente di drain (ID) fino a 30A. La resistenza di on al drain-source (RDSON) è di 0,09Ω e la carica di gate-drain la carica (Qgd) è di 7,1nC, consentendo il funzionamento con basse perdite alle alte velocità. Tutti i dispositivi sono alloggiati in package standard TO-220 a foro passante.



Contenuti correlati

  • Modelli SPICE altamente accurati da Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha reso disponibili modelli G2 SPICE altamente accurati che consentono ai progettisti di simulare più fedelmente le prestazioni dei propri progetti prima di dedicarsi allo sviluppo dell’hardware. Questi nuovi modelli G2 SPICE per dispositivi...

  • Toshiba collabora con Farnell per ampliare la gamma di prodotti distribuiti

    Toshiba Electronics Europe ha esteso il suo rapporto con Farnell che immagazzinerà più prodotti dell’azienda e in quantità maggiori, potenziando il supporto alla filiera per i clienti Toshiba. Le aziende precisano che il nuovo accordo nasce dal...

  • “Time-to-resolution”: il parametro chiave nella selezione della strumentazione T&M

    La capacità di memoria, la velocità di misura e i parametri della frequenza di campionamento sono da tempo gli elementi su cui si basa la progettazione degli strumenti di test e misurazioni. Tuttavia, i principali produttori di...

  • Un fusibile elettronico da 10 A per realizzare una protezione da sovracorrente compatta per alimentatori a 48 V

    Per la protezione da sovracorrente, solitamente vengono utilizzati fusibili ripristinabili. Tuttavia questi dispositivi sono piuttosto voluminosi, lenti nel rispondere, presentano ampie tolleranze nella corrente di soglia e devono essere sostituiti dopo uno o più interventi. Questo articolo...

  • Come scegliere il giusto MOSFET di potenza

    Scegliere il giusto MOSFET di potenza per una determinata applicazione potrebbe risultare complicato, ma con un po’ di conoscenza e le giuste indicazioni diventa tutto più semplice. In questo articolo verranno discussi alcuni fattori chiave da prendere...

  • I microcontrollori M3H di Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha comunicato di aver avviato la produzione in serie di 21 nuovi microcontrollori del gruppo M3H quali nuovi prodotti nella classe avanzata della famiglia TXZ+, realizzati con un processo da 40 nm. Il gruppo...

  • Nuove schede Click di Mikroelektronika con driver per motori passo-passo di Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha annunciato una nuova serie di schede Click di Mikroelektronika dotate dei suoi driver bipolari per motori passo-passo, per semplificare e rendere più veloci la valutazione e la prototipazione dei dispositivi. Questi driver vengono...

  • Da Toshiba un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150V

    Toshiba Electronics Europe ha annunciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150V che utilizza il processo U-MOSX-H di ultima generazione per ridurre significativamente le perdite. Tra le altre caratteristiche di questo nuovo componente c’è...

  • La scelta dei MOSFET ideali nei dimmer per illuminazione

    I dimmer sono un prodotto di successo nel mercato nordamericano. Anche in Europa questo mercato è in rapida ascesa aiutato dalla conversione in atto dalle lampade tradizionali a sorgenti LED. In questo articolo andremo a scegliere sperimentalmente...

  • Da Toshiba un diodo TVS a bassissima capacità

    Toshiba Electronics Europe ha realizzato un diodo TVS con capacità particolarmente bassa. Siglato TVS DF2B6M4BSL, il nuovo diodo è caratterizzato infatti da una capacità totale di 0,12pF (0,15pF max.), valore che rappresenta una riduzione di circa il...

Scopri le novità scelte per te x