Quattro nuovi MOSFET a supergiunzione da 650V da Toshiba

Pubblicato il 5 aprile 2022

Toshiba Electronics Europe ha aggiunto altri quattro MOSFET di potenza a supergiunzione a canale N da 650V alla sua serie DTMOSVI.

I nuovi dispositivi possono essere utilizzati principalmente in applicazioni quali l’alimentazione in campo industriale e per l’illuminazione e altre applicazioni in cui è richiesta la massima efficienza con un fattore di forma ridotto.

I nuovi MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z e TK190E65Z consentono di ottenere una riduzione del 40% rispetto alla generazione precedente di DTMOS della figura di merito (FoM) del prodotto resistenza di on al drain-source (RDSON) x carica al gate-drain (Qgd). Ciò si traduce in una sostanziale diminuzione delle perdite di commutazione rispetto ai dispositivi precedenti. Di conseguenza, i progetti che integrano i nuovi dispositivi possono avvantaggiarsi di una maggiore efficienza. Il miglioramento delle prestazioni interessa sia i nuovi progetti che agli aggiornamenti dei progetti esistenti.

Tutti i nuovi dispositivi offrono una tensione al drain-source (VDSS) di 650V con una capacità di corrente di drain (ID) fino a 30A. La resistenza di on al drain-source (RDSON) è di 0,09Ω e la carica di gate-drain la carica (Qgd) è di 7,1nC, consentendo il funzionamento con basse perdite alle alte velocità. Tutti i dispositivi sono alloggiati in package standard TO-220 a foro passante.



Contenuti correlati

  • Raffreddamento sul lato superiore per i nuovi MOSFET di onsemi

    Presso lo stand onsemi, a electronica 2022, i visitatori possono vedere i nuovi dispositivi MOSFET con raffreddamento sulla parte superiore concepiti per semplificare il lavoro dei progettisti che sviluppano applicazioni particolarmente complesse in campo automotive, come il...

  • Capacità di 20 TB per i nuovi HDD di Toshiba

    Utilizzando la tecnologia di registrazione magnetica CMR, Toshiba Electronics Europe ha realizzato gli hard disk della serie MG10 che arrivano alla capacità di 20 TB. I nuovi HDD, che utilizzano un design a 10 dischi e riempimento...

  • GaN e silicio: la sfida

    La tecnologia GaN continuerà a migliorare in termini di prestazioni e costi, mentre i consolidati MOSFET al silicio non possono evolversi di molto, perché i limiti del cristallo di silicio sono stati raggiunti diversi anni fa   ...

  • Le soluzioni Toshiba a Electronica 2022

    Toshiba Electronics Europe ha annunciato la sua presenza come espositore alla manifestazione Electronica 2022, che si terrà dal 15 al 18 Novembre presso il centro fieristico Messe Munich. L’azienda esporrà i suoi controlli avanzati dei motori per...

  • Toshiba annuncia un driver compatto per motori passo-passo da 4,5V a 33V

    Toshiba Electronics Europe ha realizzato un driver per motori passo-passo particolarmente compatto e altamente integrato che aiuta a miniaturizzare i progetti e a migliorare l’affidabilità dei prodotti, riducendo al contempo la distinta base e il time-to-market. Il...

  • Un fotoaccoppiatore intelligente per gate driver con uscita a 2,5A da Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha realizzato un fotoaccoppiatore intelligente per gate driver con uscita a 2,5A in grado di controllare IGBT e MOSFET. Questo dispositivo protegge, inoltre, in modo affidabile i dispositivi di alimentazione dalle sovracorrenti ed è...

  • Nexperia presenta MOSFET a 12 e 30 V per applicazioni con spazio limitato

    Nexperia ha introdotto i trench MOSFET a canale N PMCB60XN e PMCB60XNE a 30 V nel package ultracompatto DSN1006 per applicazioni dove lo spazio è limitato e l’autonomia della batteria è un fattore fondamentale . I nuovi...

  • Nuovo MOSFET a 24V da Magnachip

    Magnachip Semiconductor ha presentato un nuovo MOSFET a 24V utilizzabile per gli auricolari wireless. Il nuovo componente soddisfa l’obiettivo dei progettisti di prolungare la durata della batteria dopo una ricarica rapida. Il design della terminazione e dei...

  • I MOSFET in package DFN0603 di Nexperia

    Nexperia ha rilasciato una nuova gamma di MOSFET da 20 V e 30 V nel package DFN0603. Il produttore offre già dispositivi di protezione ESD in questo formato, ma ora è riuscito a realizzare dei MOSFET con...

  • Modelli SPICE altamente accurati da Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha reso disponibili modelli G2 SPICE altamente accurati che consentono ai progettisti di simulare più fedelmente le prestazioni dei propri progetti prima di dedicarsi allo sviluppo dell’hardware. Questi nuovi modelli G2 SPICE per dispositivi...

Scopri le novità scelte per te x