La tecnologia FET LDMOS si sta imponendo quale elemento determinante in applicazioni “amplificazione di potenza RF” in particolar modo nella base station per telefonia cellulare. Tensioni di breakdown pari a 65 volt permettono ai FET LDMOS di garantire robustezza e affidabilità quando operano in sistemi alimentati a 28 volt. Questo articolo delinea le caratteristiche di tali transistor e descrive svariati metodi di polarizzazione al fine di ottenere i migliori risultati applicativi