Rohm Semiconductor annuncia nuovi prodotti nel campo del power management in occasione di PCIM 2014 (padiglione 8, stand 211).
Le novità offrono caratteristiche interessanti derivanti dalla recente ricerca sui materiali, packaging e competenze produttive per soddisfare la sempre crescente domanda di efficienza energetica, miniaturizzazione, durata, ridotto numero di componenti e costi, fornendo, allo stesso tempo, prestazioni ottimali.
In evidenza, una nuova serie di diodi veloci RFV con comportamento di recupero hardware, Mosfet Sic con tecnologia Trench Gate e una vasta linea di LDO standard, per applicazioni automotive con bassi consumi, alta efficienza di corrente, resistenza ad alta tensione e una vasta gamma di temperature operative (da -40° a +125°) per la massima flessibilità di progettazione.