Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione di progetti ad alta densità per diverse applicazioni di conversione di potenza.
Il package di AOS permette infatti lo stacking verticale di due Mosfet collegati come Mosfet high-side e low-side, formando un semiponte. Questa configurazione aumenta efficacemente la densità di potenza e massimizza lo spazio disponibile sul PCB rispetto a una soluzione con due Mosfet discreti.
AOPL66801 offre inoltre un design ottimizzato del collegamento tra i due Mosfet, minimizzando l’induttanza parassita tra i Mosfet high-side e low-side. Il layout del PCB può infatti influenzare le prestazioni di pilotaggio del gate e degradare le prestazioni di commutazione a causa dell’induttanza parassita. Il produttore precisa che, rispetto a una soluzione discreta standard, AOPL66801 minimizza l’induttanza parassita sul PCB, e riduce lo stress sul Mosfet.
Il nuovo componente di AOS è dotato di un pin di rilevamento Kelvin che mantiene la stabilità della tensione di gate durante le commutazioni con elevato di/dt e fornisce un percorso di pilotaggio più efficace per il lato alto, riducendo le perdite. Inoltre, il Mosfet ha una temperatura di giunzione massima di 175 °C.