onsemi e Sineng Electric collaborano per soluzioni ottimizzate per il fotovoltaico

onsemi ha comunicato la sua collaborazione con Sineng Electric per lo sviluppo di soluzioni ottimizzate capaci di aumentare al massimo le prestazioni di inverter fotovoltaici, sistemi per l’accumulo di energia e per la conversione di potenza.
Sineng Electric, infatti, integrerà i moduli PIM (Power Integrated Module) basati su IGBT e i MOSFET in carburo di silicio (SiC) della linea EliteSiC nei propri inverter fotovoltaici per impianti di elevata potenza (utility-scale) e nel primo sistema di accumulo dell’energia (ESS -Energy Storage System) da 200 kW.
“onsemi ci ha supportato nella risoluzione delle più complesse problematiche di natura tecnica – ha affermato Qiang Wu, chairman di Sineng Electric – dalla progettazione a livello di sistema alle simulazioni, dall’analisi termica alla generazione di sofisticati algoritmi di controllo. L’integrazione della tecnologia EliteSiC ad elevata efficienza ci ha permesso di sviluppare e realizzare soluzione per il settore delle energie rinnovabili all’avanguardia, in grado di soddisfare al meglio le richieste degli utilizzatori. La catena di fornitura dei dispositivi SiC di tipo end to end di onsemi, inoltre, assicura la continuità di approvvigionamento necessaria per pianificare la nostra crescita sul lungo periodo”.
“Insieme, sfrutteremo i vantaggi dei nostri prodotti ad alte prestazioni e l’esperienza nella progettazione di di sistemi elettronici di potenza di Sineng Electric – ha detto Asif Jakwani, senior vice president e general manager della Advanced Power Division di onsemi – per realizzare soluzioni avanzate per applicazioni di energia rinnovabile. La nostra continua ricerca finalizzata a migliorare l’efficienza a livello di sistema complessivo riveste un ruolo di fondamentale importanza in una società impegnata a perseguire, in un prossimo futuro, l’obiettivo di azzerare le emissioni nette”.
Contenuti correlati
-
Tecnologia EliteSiC M3S: la scelta migliore per le applicazioni di commutazione ad alta velocità
In questo articolo saranno analizzati i risultati dei test di caratterizzazione dei dispositivi e delle simulazioni eseguite su convertitori con PFC (Power Factor Correction) trifase realizzati utilizzando due differenti MOSFET SiC in package TO247-4L Leggi l’articolo completo su...
-
Il nuovo laboratorio di onsemi per il test di applicazioni per veicoli elettrici
onsemi ha aperto a Piestany (Slovacchia) un laboratorio destinato a favorire lo sviluppo di soluzioni per i sistemi di conversione di potenza dei veicoli elettrici/ibridi a batteria/plug-in (xEV) e delle infrastrutture energetiche (EI). Il laboratorio è dotato...
-
Nexperia e Mitsubishi Electric siglano una partnership strategica per i MOSFET SiC
Nexperia ha annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per lo sviluppo congiunto di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Questa collaborazione vedrà Nexperia e Mitsubishi Electric unire le forze per migliorare l’efficienza...
-
onsemi collabora con Renesas per la sicurezza della guida semi-autonoma
La famiglia di sensori di immagine Hyperlux di onsemi è stata integrata nella piattaforma R-Car V4x di Renesas. L’obiettivo è quello di migliorare i sistemi di visione, e quindi aumentare la sicurezza, dei veicoli a guida semi-autonoma....
-
Tutti i vantaggi del monitoraggio medicale a distanza
Le innovazioni nel settore della tecnologia dei semiconduttori hanno permesso la realizzazione di una gamma sempre più ampia di dispositivi medicali di piccole dimensioni, estremamente accurati, intelligenti e connessi Leggi l’articolo completo su EO Medical26
-
onsemi: sensori di immagine a basso consumo per uffici e abitazioni
onsemi ha presentato la famiglia di sensori di immagine Hyperlux LP concepita per le telecamere industriali e commerciali per applicazioni come campanelli smart, telecamere di sicurezza, visori AR/VR/XR, visione artificiale e videoconferenza. Questi sensori, con pixel da...
-
Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi componenti sono utilizzabili per applicazioni a 1500V DC come, per esempio, gli inverter fotovoltaici, i caricabatterie per i veicoli elettrici,...
-
Nuovi accordi di fornitura per le soluzioni di potenza di onsemi per gli inverter fotovoltaici
1,95 miliardi di dollari è il valore degli accordi di fornitura sul lungo periodo (LTSA – Long Term Supply Agreement) che onsemi ha stipulato con alcuni tra i principali produttori mondiali di inverter fotovoltaici. Gli accordi sono...
-
Accordo fra onsemi e Magna per i dispositivi SiC
Il fornitore del settore automotive Magna e onsemi hanno stretto un accordo per la fornitura sul lungo periodo (LTSA) di soluzioni di potenza intelligenti della serie EliteSiC di onsemi per i sistemi eDrive di Magna. In base...
-
Toshiba: nuovi diodi Schottky SiC da 650V con tensione diretta di 1,2V
Toshiba Electronics Europe ha presentato dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di silicio (SiC) da 650V basati sulla più recente tecnologia di terza generazione dell’azienda. I nuovi dispositivi sono specificamente destinati all’utilizzo in apparecchi industriali...