ON Semiconductor ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) che utilizzano la tecnologia proprietaria Ultra Field Stop Trench dell’azienda. I componenti NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120L3WG sono progettati per fornire livelli elevati di prestazioni operative allo scopo di soddisfare i requisiti esigenti delle moderne applicazioni a commutazione.
Questi dispositivi da 1200 volt (V) sono in grado di offrire caratteristiche di punta sul mercato in termini di perdite di commutazione (Ets); il notevole miglioramento delle prestazioni è attribuibile sia alla presenza di uno strato field-stop altamente attivato, sia al diodo ottimizzato integrato nel package.
Il dispositivo NGTB40N120FL3WG presenta una Ets di 2.7 millijoule (mJ), mentre NGTB25N120FL3WG ha una Ets di 1,7 mJ. Entrambi i dispositivi sono caratterizzati da una VCEsat di 1,7 V in corrispondenza dei rispettivi valori di corrente massima. NGTB40N120L3WG è ottimizzato per basse perdite di conduzione e ha una VCEsat di 1,55 V, in corrispondenza della massima intensità di corrente, con una Ets di 3 mJ.
I nuovi prodotti basati sulla tecnologia Ultra Field Stop sono forniti integrati in un unico package con un diodo a recupero rapido, che presenta caratteristiche di spegnimento controllato pur assicurando perdite minime di recupero inverso. NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120FL3WG sono particolarmente indicati per l’utilizzo nei gruppi di continuità (UPS) e negli inverter, mentre NGTB40N120L3WG è principalmente pensato per l’uso negli azionamenti dei motori.