RAJ2930004AGM è un nuovo gate driver di Renesas Electronics utilizzabile per pilotare dispositivi di potenza ad alta tensione come gli IGBT e i MOSFET SiC per gli inverter dei veicoli elettrici.
Il nuovo gate driver integra un isolatore da 3,75 kVrms (kV root mean square), un valore superiore a quello degli isolatori da 2,5 kVrms presenti nella precedente generazione di prodotti e, di conseguenza, è in grado di gestire dispositivi di potenza che lavorano fino a 1200 V. Inoltre il nuovo gate driver offre un livello di prestazioni CMTI (Common Mode Transient Immunity) di 150 V/ns (nanosecondi) o superiore, rendendo in questo modo possibile un elevato livello di immunità e di affidabilità pur incrementando la tensione di bus ed incrementando le frequenze di commutazione come richiesto dalle nuove generazioni dei sistemi inverter.
RAJ2930004AGM può pilotare gli IGBT di Renesas così come gli IGBT e i MOSFET SiC di altri fornitori. Oltre agli inverter di trazione, il gate driver è utilizzabile per un’ampia gamma di applicazioni che adottano semiconduttori di potenza, come caricatori di bordo e convertitori CC/CC. Per supportare gli sviluppatori a portare rapidamente i propri prodotti sul mercato Renesas offre la soluzione xEV Inverter Kit che associa gate driver a microcontrollori a dispositivi di potenza IGBT e a circuiti integrati di gestione dell’alimentazione e prevede di rilasciare una versione che incorpori il nuovo modello di gate driver nella prima metà del 2023.