Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua offerta con un fotoaccoppiatore per gate driver in package SO8L utilizzabile per il pilotaggio dei MOSFET al carburo di silicio (SiC) in apparecchiature industriali collocate in ambienti difficili dal punto di vista termico come, per esempio, gli inverter industriali, i gruppi di continuità (UPS) e gli inverter fotovoltaici.
Il dispositivo è siglato TLP5814H ed è dotato di un circuito active Miller clamp che contribuisce a migliorare la sicurezza del sistema e a ridurre le dimensioni complessive della soluzione, minimizzando il numero di componenti esterni aggiuntivi richiesti. Questo circuito presenta una resistenza di canale di 0,69 Ω (tip.) e una corrente limite di picco di 6,8 A. Queste caratteristiche contribuiscono a prevenire il fenomeno dell’autoaccensione associato ad alcuni dispositivi di potenza come i MOSFET SiC e gli IGBT, che sono altamente sensibili alle variazioni della tensione di gate.
TLP5814H è in grado di fornire una corrente di picco massima in uscita di +6,8/-4,8 A con uscita rail-to-rail, che aiuta a migliorare le prestazioni di commutazione del sistema, garantendo al contempo un funzionamento stabile. Uno schermo Faraday interno garantisce un’immunità ai transitori di modo comune di ±70 kV/µs (min).
In nuovo componente può funzionare in un intervallo di temperature compreso tra -40°C e 125°C.