ROHM ha sviluppato dei MOSFET di potenza a canale N con una resistenza di ON particolarmente bassa e un’ampia capacità SOA (Safe Operating Area). Questi componenti sono stati progettati per gli alimentatori dei server aziendali e per i server per IA a elevate prestazioni.
La nuova line-up comprende tre prodotti. Il modello RS7E200BG (30 V) è ottimizzato sia per i circuiti di conversione AC-DC sul lato secondario che per i circuiti dei controller hot-swap (HSC) negli alimentatori da 12 V utilizzati nei server aziendali a elevate prestazioni. I modelli RS7N200BH (80 V) e RS7N160BH (80 V) sono utilizzabili invece per i circuiti di conversione AC-DC sul lato secondario negli alimentatori da 48 V di server per IA. I modelli RS7E200BG (30 V) e RS7N200BH (80 V) raggiungono resistenze di ON rispettivamente pari a 0,53 mΩ e 1,7 mΩ (con VGS = 10 V).
Tutti e tre i modelli sono dotati del nuovo package DFN5060-8S che consente di ospitare un die più grande rispetto ai design convenzionali. DFN5060-8S misura 5×6 mm e permette di aumentare le dimensioni dell’area interna del die di circa il 65% rispetto al package HSOP8 convenzionale (sempre nel formato 5×6 mm).
Inoltre, ROHM ha ottimizzato il design della clip interna per potenziare la dissipazione del calore, il che ha migliorato ulteriormente la tolleranza SOA, contribuendo a garantire l’affidabilità dell’applicazione. In particolare, il modello RS7E200BG (30 V) raggiunge una tolleranza SOA di oltre 70 A con una larghezza di impulso di 1 ms e VDS = 12 V, che è il doppio di quella dei MOSFET con package convenzionale HSOP8 nelle stesse condizioni.
ROHM ha anche dichiarato che prevede di iniziare gradualmente nel 2025 la produzione di massa di MOSFET di potenza compatibili con i circuiti dei controller hot-swap destinati ai server per IA, continuando a espandere la propria line-up di prodotti per contribuire a una maggiore efficienza e affidabilità in un’ampia gamma di applicazioni.