Ideal Semiconductor ha ampliato la sua offerta di Mosfet SuperQ da 200 V con nuovi modelli caratterizzati da valori di RDS (on) particolarmente ridotti.
La versione con packge di tipo TOLL offre infatti una RDS(on) massima di 5,5 mΩ, consentendo una maggiore densità di potenza e perdite di conduzione ridotte in progetti con spazio limitato. La versione che utilizza il package TO-220, invece, è caratterizzata da un valore RDS(on) massimo di 6,3 mΩ e può essere usata in applicazioni che privilegiano l’assemblaggio a foro passante, il montaggio meccanico o il dissipatore di calore diretto.
I dispositivi SuperQ a 200 V sono specificamente progettati per applicazioni di azionamento motore e offrono caratteristiche tecniche come, per esempio, una elevata corrente di tenuta al cortocircuito (SCWC), facilità di collegamento in parallelo con VGS(th) di +/- 0,5 V, temperatura di esercizio industriale di 175 °C.
Il produttore precisa comunque che questi dispositivi, oltre che per gli azionamenti per motori, sono utilizzabili anche negli alimentatori switching (SMPS), nella rettifica sincrona lato secondario e nei sistemi industriali ad alta corrente e alimentati a batteria, applicazioni dove caratteristiche come efficienza, prestazioni termiche e robustezza sono fondamentali.
Ideal Semiconductor prevede di estendere, entro la fine del 2026, la sua gamma di Mosfet da 200V con i package D2PAK-7L, ottimizzato per progetti a montaggio superficiale ad alta corrente, e Tolt, ottimizzato per layout ultracompatti ad alta densità di potenza per sistemi di alimentazione di nuova generazione.
I nuovi componenti sono in fase di produzione di massa, mentre le versioni con package Tolt e D2PAK-7L sono attualmente in fase di campionamento.