Nuovi moduli di potenza MOSFET EasyDUAL CoolSiC da Infineon

Pubblicato il 3 maggio 2021

Infineon Technologies AG ha aggiornato i moduli MOSFET EasyDUAL CoolSiC con una nuova ceramica in nitruro di alluminio (AIN).

I moduli EasyDUAL FF11MR12W1M1_B70 e FF6MR12W2M1_B70 sono dotati della più recente tecnologia MOSFET CoolSiC che offre una elevata affidabilità.

In combinazione con i moduli CoolSiC Easy, la nuova ceramica AIN consente un aumento della potenza di uscita o riduce le temperature di giunzione. Ciò può portare a una maggiore durata del sistema. Con la migliore conduttività termica del materiale DCB, la resistenza termica al dissipatore di calore (R thJH) può essere ridotta infatti fino al 40%.

I dispositivi sono disponibili in configurazione half-bridge con un valore di RDS (on) di 11 mΩ in un contenitore EasyDUAL 1B e un valore di 6 mΩ in un contenitore EasyDUAL 2B.

Con la ceramica ad alte prestazioni, i dispositivi da 1200 V sono adatti per applicazioni ad alta densità di potenza tra cui sistemi solari, gruppi di continuità, inverter ausiliari, sistemi di accumulo di energia e caricabatterie per veicoli elettrici.



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