ROHM ha annunciato nuovi modelli SPICE di livello 3 (L3) che, grazie a un approccio semplificato, conservano sia la stabilità di calcolo che forme d’onda di commutazione accurate, riducendo il tempo di simulazione di circa il 50% rispetto ai modelli L1.
Queste caratteristiche consentono di effettuare analisi di alta precisione degli interi circuiti a una velocità notevolmente superiore, semplificando la valutazione dei dispositivi e delle perdite nella fase di progettazione dell’applicazione. I nuovi modelli, infatti, sono stati introdotti per rispondere alle sfide legate ai problemi di convergenza della simulazione e ai tempi di calcolo prolungati.
ROHM ha recentemente rilasciato 37 modelli L3 per i suoi MOSFET SiC di quarta generazione, disponibili per il download direttamente dalla sezione Models & Tools di ogni pagina di prodotto. I modelli L1 continueranno a essere offerti insieme alle nuove versioni. Viene inoltre fornito un white paper completo che facilita l’adozione del modello.