Innoscience Technology ha annunciato una nuova gamma di transistor HEMT discreti in bassa tensione con packaging FCQFN. La tecnologia “flip chip” semplifica l’utilizzo dei nuovi dispositivi, proposti nelle versioni a 40 V, 100 V e 150 V.
I dispositivi FCQFN con tensione nominale di 40 V sono disponibili con RDS(on) (on-resistance) di 4,3 mΩ (formato chip 3×4 mm). Gli HEMT da 100 V vengono proposti con valori RDS(on) di 2,8 mΩ (3×5 mm) e 1,8 mΩ (4×6 mm), mentre i componenti da 150 V nel formato 4×6 mm sono disponibili con RDS(on) di 3,9 mΩ e 7 mΩ.
Questi componenti possono essere impiegati nel settore mobile e in applicazioni con collegamento diretto alla batteria. Un’altra applicazione sono i convertitori buck boost per USB Tipo C nei laptop.
I dispositivi da 100 V sono idonei per la trasformazione c.c./c.c. con potenze fino a 2 kW, grazie alla loro bassissima on-resistance. In configurazione parallela si possono raggiungere potenze fino a 8 kW.
I nuovi modelli da 150 V sono destinati ad applicazioni industriali fra cui gli impianti solari. Sono progettati in modo da non dover applicare il derating. Tutti i nuovi HEMT da 40 V, 100 V e 150 V hanno superato i test previsti dalle norme JEDEC e JEP 180 specifiche per il GaN.
Un ultimo aspetto da sottolineare è che gli HEMT a 100 V da 1.8 mΩ sono compatibili a livello di pin con i nuovi componenti a 150 V da 3.9 mΩ e 7 mΩ, poiché tutti hanno un packaging FCQFN da 4×6 mm, assicurando grande flessibilità in fase di progettazione.