Mouser: disponibili gli MMIC Cree basati su transistor HEMT al nitruro di gallio da 12 GHz

Pubblicato il 8 giugno 2015

Mouser Electronics tiene a magazzino i circuiti integrati MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) basati su transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor) al nitruro di gallio di Cree. I nuovi MMIC sono destinati alle applicazioni ad alta frequenza in banda X e in banda C.

Gli MMIC Cree basati su transistor GaN HEMT disponibili da Mouser Electronics sono transistor al nitruro di gallio ad alta potenza e alte prestazioni. Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale ad ampia gamma proibita (bandgap) utilizzato per semiconduttori ad alta potenza e alte prestazioni con caratteristiche superiori rispetto ai convenzionali dispositivi in silicio e utile in molte applicazioni, inclusi i sistemi di conversione della potenza. I dispositivi GaN ad alta velocità offrono evidenti vantaggi in termini di prestazioni nelle apparecchiature radar, radio satellitari e amplificatori a banda larga.

I nuovi transistor MMIC Cree al nitruro di gallio forniscono ampie larghezze di banda in un ingombro molto compatto. L’uscita di potenza minima è 25 W per MMIC Cree CMPA5585025F per le comunicazioni in banda C da 5,5 a 8,5 GHz. MMIC Cree CMPA801B025F fornisce 25 W per le frequenze in banda X da 8 a 11 GHz utilizzate nei sistemi radar e di comunicazioni. L’MMIC Cree CMPA601C025F di fascia alta supporta le frequenze operative in banda X da 6 GHz fino a 12 GHz a 35 W. Gli MMIC al nitruro di gallio sono disponibili con terminali a vite.

I transistor Cree MMIC al nitruro di gallio sono destinati alle applicazioni ad alta precisione, affidabilità e frequenza quali sistemi radar marini e terrestri, amplificatori radio a banda larga, sistemi radio point-to-point, comunicazioni satellitari inclusi uplink, amplificatori per le apparecchiature di test.



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