Elettronica Plus

MOSFET SiC di quarta generazione in PFC totem pole per SMPS ad alte prestazioniERT

Questo articolo presenta un kit di valutazione compatto per dimostrare le elevate prestazioni della quarta generazione di MOSFET SiC di ROHM in un PFC totem pole all’avanguardia. Oltre a mostrare i dati relativi alle prestazioni chiave, come le misurazioni dell’effi cienza, questo lavoro descrive alcune criticità progettuali della topologia in questione e come sono state affrontate per ottenere un PFC con ingresso universale

Leggi l’articolo completo su EO Power 29