MOSFET SiC di quarta generazione in PFC totem pole per SMPS ad alte prestazioni

Dalla rivista:
EO Power

 

Questo articolo presenta un kit di valutazione compatto per dimostrare le elevate prestazioni della quarta generazione di MOSFET SiC di ROHM in un PFC totem pole all’avanguardia. Oltre a mostrare i dati relativi alle prestazioni chiave, come le misurazioni dell’effi cienza, questo lavoro descrive alcune criticità progettuali della topologia in questione e come sono state affrontate per ottenere un PFC con ingresso universale

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Abdelmouneim Charkaoui, Application Engineer; Christian Felgemacher, Department Manager Application and Technical Solution Center; Jochen Hüskens, Senior Application Marketing Manager; Felipe Filsecker, Group Manager Application Engineer - ROHM

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