Microchip Technology ha comunicato la disponibilità dei suoi nuovi moduli di potenza da 3,3 kV HV-D3 mSiC. Il produttore precisa che questi componenti sono destinati ad accelerare il passaggio verso i trasformatori a stato solido (SST) nei data center AI hyperscale e in altre applicazioni di potenza ad alta tensione.
Per quanto riguarda l’architettura interna, i moduli integrano Mosfet mSiC in carburo di silicio da 3,3 kV e diodi Schottky in un package standard da 62 mm. In particolare, il packaging supporta un isolamento a 6 kV, integra materiali classificati CTI 600 e presenta distanze di creepage estese, progettate per consentire una connessione in serie sicura per l’operatività ad alta tensione.
Microchip precisa inoltre che è stato utilizzato un substrato di nitruro di silicio (Si₃N₄) che offre una conduttività termica migliorata e capacità di power-cycling, una soluzione che permette di raggiungere una densità di potenza più elevata con un raffreddamento meno aggressivo.
I moduli di potenza HV-D3 mSiC sono disponibili in configurazioni half-bridge e common-source, con e senza diodi Schottky anti-paralleli, e si rivolgono alla gamma di applicazioni nella fascia 100-300A.
Questi moduli possono essere utilizzati anche per infrastrutture di ricarica a megawatt per veicoli pesanti, alimentatori ausiliari per ferrovie/trasporti pesanti, motori a media tensione, sistemi di alimentazione industriali e di difesa.