KIOXIA e Western Digital hanno annunciato lo sviluppo della propria tecnologia di memoria flash 3D a 162 strati di sesta generazione.
Questa sesta generazione di memorie flash 3D presenta un’architettura avanzata e raggiunge una densità di matrice di celle laterali fino al 10% maggiore rispetto alla tecnologia di quinta generazione. Questo avanzamento nella scalabilità laterale, in aggiunta alla memoria composta da 162 strati impilati verticalmente, consente una riduzione del 40% delle dimensioni rispetto alla tecnologia dello stack a 112 strati, ottimizzandone così i costi.
I team di KIOXIA e Western Digital hanno inoltre applicato il posizionamento Circuit Under Array CMOS e il funzionamento a quattro livelli, che insieme forniscono un miglioramento di quasi 2,4 volte delle prestazioni e un miglioramento della latenza in lettura del 10% rispetto alla generazione precedente. Anche le prestazioni I/O migliorano del 66%, consentendo all’interfaccia di nuova generazione di far fronte al bisogno sempre crescente di velocità di trasferimento più elevate.
Nel complesso, la nuova tecnologia di memoria flash 3D riduce il costo per bit e al contempo aumenta i bit prodotti per wafer del 70% rispetto alla generazione precedente.