Linear Technology: controller a ponte di diodi ideali con tensione da 9V a 72V

Pubblicato il 6 marzo 2014

Linear Technology ha annunciato le versioni automotive (grado H) e militare ad alta affidabilità (grado MP) dell’LT4320, un controller a ponte di diodi ideali per sistemi da 9V a 72V. L’LT4320 sostituisce un rettificatore a ponte di diodi a onda intera con un ponte di MOSFET a canale N e bassa perdita per ridurre le perdite di potenza e tensione di 10 volte o pi. Le dimensioni dell’alimentatore si riducono, in quanto la maggiore efficienza della potenza elimina gli ingombranti dissipatori. Le applicazioni a bassa tensione traggono vantaggio dal margine extra, possibile risparmiando la caduta di tensione sui due diodi intrinseca nei ponti di diodi. Rispetto all’alternativa tradizionale, il ponte di MOSFET consente di progettare il rettificatore in modo che occupi poco spazio e offra un risparmio energetico. Il funzionamento delle versioni di grado H ed MP garantito su un range di temperature comprese rispettivamente tra -40oC e 125oC e tra -55oC e 125oC.

Il controllo dello switch dell’LT4320 attiva i due MOSFET appropriati, mantenendo spenti gli altri due per impedire le correnti inverse. Una pompa di carica integrata fornisce il gate drive per i MOSFET a canale N esterni a bassa on-resistance senza richiedere condensatori esterni. La scelta dei MOSFET offre la massima flessibilità nei livelli di potenza da uno a migliaia di watt.

L’LT4320 disponibile in due versioni: l’LT4320 progettato per la rettifica della tensione da DC a 60Hz, mentre LT4320-1 ottimizzato per la rettifica da DC a 600Hz raddoppiando la tensione di regolazione source-drain del lato alto. Il dispositivo di grado H offerto nei package DFN e PDIP a 8 pin (3 x 3mm) e MSOP a 12 conduttori con spaziatura dei pin maggiorata per il supporto di tensioni più elevate, mentre la versione di grado MP offerta nel package MSOP a 12 conduttori.

lv



Contenuti correlati

  • I MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione per gli inverter Hitachi Astemo

    I nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e i gate driver di ROHM  sono stati scelti da Hitachi Astemo, azienda che sviluppa da diversi anni tecnologie avanzate per motori e inverter per veicoli. I MOSFET SiC di...

  • Nuovo MOSFET di ROHM per dispositivi piccoli e sottili

    ROHM ha sviluppato un MOSFET a canale N da 20 V caratterizzato da una elevata efficienza e particolarmente compatto, il modello RA1C030LD. Questo nuovo componente è ottimizzato per la commutazione in dispositivi piccoli e sottili, compresi smartphone...

  • Raffreddamento sul lato superiore per i nuovi MOSFET di onsemi

    Presso lo stand onsemi, a electronica 2022, i visitatori possono vedere i nuovi dispositivi MOSFET con raffreddamento sulla parte superiore concepiti per semplificare il lavoro dei progettisti che sviluppano applicazioni particolarmente complesse in campo automotive, come il...

  • GaN e silicio: la sfida

    La tecnologia GaN continuerà a migliorare in termini di prestazioni e costi, mentre i consolidati MOSFET al silicio non possono evolversi di molto, perché i limiti del cristallo di silicio sono stati raggiunti diversi anni fa   ...

  • Nexperia presenta MOSFET a 12 e 30 V per applicazioni con spazio limitato

    Nexperia ha introdotto i trench MOSFET a canale N PMCB60XN e PMCB60XNE a 30 V nel package ultracompatto DSN1006 per applicazioni dove lo spazio è limitato e l’autonomia della batteria è un fattore fondamentale . I nuovi...

  • Nuovo MOSFET a 24V da Magnachip

    Magnachip Semiconductor ha presentato un nuovo MOSFET a 24V utilizzabile per gli auricolari wireless. Il nuovo componente soddisfa l’obiettivo dei progettisti di prolungare la durata della batteria dopo una ricarica rapida. Il design della terminazione e dei...

  • I MOSFET in package DFN0603 di Nexperia

    Nexperia ha rilasciato una nuova gamma di MOSFET da 20 V e 30 V nel package DFN0603. Il produttore offre già dispositivi di protezione ESD in questo formato, ma ora è riuscito a realizzare dei MOSFET con...

  • “Time-to-resolution”: il parametro chiave nella selezione della strumentazione T&M

    La capacità di memoria, la velocità di misura e i parametri della frequenza di campionamento sono da tempo gli elementi su cui si basa la progettazione degli strumenti di test e misurazioni. Tuttavia, i principali produttori di...

  • Un fusibile elettronico da 10 A per realizzare una protezione da sovracorrente compatta per alimentatori a 48 V

    Per la protezione da sovracorrente, solitamente vengono utilizzati fusibili ripristinabili. Tuttavia questi dispositivi sono piuttosto voluminosi, lenti nel rispondere, presentano ampie tolleranze nella corrente di soglia e devono essere sostituiti dopo uno o più interventi. Questo articolo...

  • Come scegliere il giusto MOSFET di potenza

    Scegliere il giusto MOSFET di potenza per una determinata applicazione potrebbe risultare complicato, ma con un po’ di conoscenza e le giuste indicazioni diventa tutto più semplice. In questo articolo verranno discussi alcuni fattori chiave da prendere...

Scopri le novità scelte per te x