I nuovi MOSFET SiC di quarta generazione di ROHM utilizzano le più recenti tecnologie del produttore e sono ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali.
Questo componenti da 1200V, in grado di opporre una bassa resistenza di ON associata a una alta velocità di commutazione, contribuiscono infatti a ottenere una maggiore miniaturizzazione e a ridurre i consumi di energia in un gran numero di applicazioni, compresi gli inverter del settore automotive e gli alimentatori switching.
ROHM sottolinea che la sensibile riduzione della capacità elettrica parassita permette di ottenere una perdita di commutazione inferiore del 50% rispetto alla precedente generazione di MOSFET SiC.
A partire da giugno 2020 sono disponibili campioni dei chip, mentre l’offerta in package discreti arriverà successivamente.