Le uscite ad alta tensione del circuito di pilotaggio AUIRS2332J permettono di collegare MOSFET e IGBT di potenza ad alta velocità mediante tre canali indipendenti collegabili al ramo superiore (high-side) e al ramo inferiore (low-side) del circuito di commutazione. La particolare tecnologia HVIC (High Voltage Integrated Circuit) utilizzata garantisce una costruzione monolitica robusta del circuito integrato i cui ingressi logici sono compatibili con i livelli di tensione forniti dai circuiti logici CMOS e LSTTL, anche a bassa tensione, fino a 3,3 V.
Il nuovo dispositivo contiene un amplificatore operazionale riferito a massa per generare un segnale di retroazione analogico della corrente che scorre nel circuito a ponte tramite un resistore di misura esterno, che si utilizza anche per gestire la funzione di protezione da sovracorrente, e fornisce un segnale di diagnostica open drain in caso di condizioni di sovracorrente o sottotensione. Il circuito integrato è inserito in un contenitore PLCC44 che offre una più elevata distanza superficiale (creepage) tra i piedini per garantire l’isolamento semplificando il layout della scheda.
Grazie al suo elevato livello di integrazione a alle sue complete funzioni di protezione integrate, il dispositivo AUIRS2332J semplifica e compatta il progetto offrendo quell’affidabilità e robustezza che sono richieste nelle applicazioni di pilotaggio motori per veicoli elettrici ed ibridi.
Il circuito integrato AUIRS2332J è completamente caratterizzato per sopportare i transitori di tensione negativa sul nodo di commutazione che possono verificarsi durante il normale funzionamento ed è dotato di modalità di protezione che aumentano la robustezza dell’intero sistema. I suoi circuiti di uscita sono degli stadi buffer atti a gestire impulsi di corrente elevati e garantire la minima conduzione incrociata dei rami del circuito di commutazione. I tempi di propagazione sono adattati per semplificare il funzionamento ad alta frequenza. Il canale flottante può essere usato per pilotare un MOSFET di potenza a canale N oppure un IGBT in configurazione high-side.
I circuiti integrati per auto di IR sono sottoposti a collaudi statici e dinamici con metodologie statistiche PAT (Part Average Testing) combinate con l’ispezione ottica automatica al 100% a livello di wafer e rientrano nel programma di qualità per il settore automobilistico di IR con l’obiettivo zero difetti. I nuovi dispositivi sono qualificati in conformità agli standard AEC-Q100 e sono realizzati con materiali a basso impatto ambientale, senza piombo e conformi alle direttive sulle sostanze pericolose RoHS.