International Rectifier ha ampliato la famiglia di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) con l’introduzione dei modelli IRGR4045DPbF e IRGS4045DPbF.
I nuovi IGBT ultraveloci da 600 V di tipo trench (a trincea) offrono prestazioni migliorate e un maggiore rendimento energetico per realizzare applicazioni nel settore industriale e degli elettrodomestici, come ad esempio per il pilotaggio di motori per lavatrici e frigoriferi.
I transistor IRGR4045DPbF e IRGS4045DPbF utilizzano la tecnologia Field-Stop Trench a wafer sottile sviluppata da IR, che riduce significativamente le perdite di commutazione e conduzione garantendo una maggiore densità di potenza ed efficienza energetica alle frequenze più elevate. Inseriti in un contenitore DPAK e D2PAK che ospita anche un diodo, i nuovi IGBT hanno una corrente nominale di 6 A e un tempo minimo nominale di sopportare cortocircuiti ≥ 5 µs.
I dispositivi offrono anche una bassa VCE(on) per ridurre la dissipazione di potenza e raggiungere una più elevata densità di potenza e sono caratterizzati da un coefficiente di temperatura positivo della VCE(on), che facilita il collegamento in parallelo di più dispositivi. I transistor IRGR4045DPbF e IRGS4045DPbF sono adatti a una vasta gamma di frequenze di commutazione e ottimizzati per funzionare sino a 20 kHz.
Offerti sia sotto forma di die, sia come dispositivi completi di package, tra le altre caratteristiche fondamentali dei transistor IRGR4045DPbFe IRGS4045DPbF vi sono l’area di funzionamento sicuro in polarizzazione inversa (RBSOA) ottimizzata di forma quadrata, la temperatura di giunzione massima di 175 °C e un basso livello di emissioni elettromagnetiche che migliorano l’affidabilità. I dispositivi sono infine conformi alle direttive RoHS.